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J-GLOBAL ID：200902274170059802   整理番号：03A0486527

Li-Na混合フラックス系を使ったバルクGaN単結晶の成長

Growth of Bulk GaN Single Crystals Using Li-Na Mixed Flux System

著者 (6件)： MORISHITA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAMURA F (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IWAHASHI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHIMURA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SASAKI T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 6A  ページ： L565-L567  発行年： 2003年06月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Li-Naフラックス系で成長させたGaNの収率がNaフラック...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (11件)：

• 1) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 2) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: J. Appl. Phys. 71 (1992) 5543.
• 3) A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2259.
• 4) H. Yamane, M. Shimada, T. Sekiguchi and F. J. Disalvo: Chem. Mater. 9 (1997) 413.
• 5) M. Onda, T. Iwahashi, M. Okamoto, Y. K. Yap, M. Yoshimura, Y. Mori and T. Sasaki: J. Cryst. Growth 237–239 (2002) 2112.

タイトルに関連する用語 (6件)： Li ,  Na ,  フラックス ,  バルク ,  GaN ,  単結晶の成長