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J-GLOBAL ID：200902275435749446   整理番号：04A0586188

反応性堆積エピタクシーによるSi(111)基板への半導性BaSi₂薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi₂ Thin Films on Si(111) Substrates by Reactive Deposition Epitaxy

著者 (4件)： INOMATA Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA F (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 7A  ページ： 4155-4156  発行年： 2004年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性堆積エピタクシー法によるSi(111)基板に半導性斜方...

シソーラス用語： *化学蒸着 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (22件)：

• 1) M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696.
• 2) Y. Maeda, K. Umezawa, K. Miyake and M. Sagawa: Thin Solid Films 381 (2001) 256.
• 3) S. Wang, N. Otogawa, Y. Fukuzawa, H. Shen, H. Tanoue, T. Kojima, Y. Nakayama and Y. Makita: Proc. SPIE 5065 (2003) 188.
• 4) D. Leong, M. Harry, K. J. Reeson and K. P. Homewood: Nature 387 (1997) 686.
• 5) T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1013.

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応性 ,  堆積 ,  エピタクシー ,  Si ,  半導性 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長