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J-GLOBAL ID：200902108046800270   整理番号：01A0059371

β-FeSi₂活性領域のあるSiによる発光ダイオードからの室温1.6μmエレクトロルミネセンス

Room Temperature 1.6 μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi₂ Active Region.

著者 (4件)： SUEMASU T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NEGISHI Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TAKAKURA K (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA F (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 10B  ページ： L1013-L1015  発行年： 2000年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体けい化鉄(β-FeSi₂)活性領...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (19件)：

• 1) M. Förster, U. Mantz, S. Ramminger, K. Thonke, R. Sauer, H. Kibbel, F. Schöffler and H. J. Herzog: J. Appl. Phys. 80 (1996) 3017.
• 2) A. Richiter, P. Steiner, F. Kozlowski and W. Lang: IEEE Electron Device Lett. 12 (1991) 691.
• 3) H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki and T. Nakagiri: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 2379.
• 4) B. Zheng, J. Michel, F. Y. G. Ren, L. C. Kimerling, D. C. Jacobson and J. M. Poate: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2842.
• 5) M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696.

タイトルに関連する用語 (5件)： 活性領域 ,  Si ,  発光ダイオード ,  室温 ,  エレクトロルミネセンス