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J-GLOBAL ID：200902275569084475   整理番号：04A0323460

半導体BaSi₂薄膜に関するSi(111)基板上での分子ビームエピタクシーによるエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi₂ Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy

著者 (4件)： INOMATA Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA F (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 4A  ページ： L478-L481  発行年： 2004年04月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [100]配向BaSi₂多重分域エピ層...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

• 1) D. Leong, M. Harry, K. J. Reeson and K. P. Homewood: Nature 387 (1997) 686.
• 2) T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1013.
• 3) M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696.
• 4) K. Radermacher, R. Carius and S. Mantl: Nucl. & Instrum. Methods Phys. Res. B <B>84</B> (1994) 163.
• 5) A. B. Filonov, V. E. Borisenko, W. Henrion and H. Lange: J. Lumin. 80 (1999) 479.

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  Si ,  分子ビームエピタクシー ,  エピタキシャル成長