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J-GLOBAL ID：200902276272614480   整理番号：08A0548964

新しい湿式エッチングで作製したGaNベ-スのトレンチゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ

GaN-Based Trench Gate Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Fabricated with Novel Wet Etching

著者 (10件)： KODAMA Masahito (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  SUGIMOTO Masahiro (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN) ,  HAYASHI Eiko (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  SOEJIMA Narumasa (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  ISHIGURO Osamu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KANECHIKA Masakazu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  ITOH Kenji (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  UEDA Hiroyuki (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  UESUGI Tsutomu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KACHI Tetsu (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 2  ページ： 021104.1-021104.3  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNにトレンチ構造を形成する新しい方法を開発した。エッチャントとしてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)を用いて平坦な非極性(1^-100)面が得られた。(1^-100)面の側壁を有するU字型のトレンチはドライエッチングとTMAHの湿式エッチングで形成される。U字型のトレンチゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が新しいエッチング技術で作製された。この素子は閾電圧10Vでノーマリオフの動作で優れたドレーン電流-ゲート電圧の特性を有している。この結果からトレンチゲート構造はGaNベ-スのトランジスタに適用可能である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エッチング ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MOSFET ,  *トレンチカット【加工】 ,  *電流電圧特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： テトラメチルアンモニウムヒドロキシド

引用文献 (6件)：

• LANFORD, W. B. Electron. Lett. 2005, 41, 449
• FUJII, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L1048
• CAI, Y. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 435
• MATOCHA, K. IEEE Trans. Electron Devices. 2005, 52, 6
• OTAKE, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L599

タイトルに関連する用語 (6件)： 湿式エッチング ,  作製 ,  GaN ,  トレンチゲート ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ