プラズマ支援分子線エピタクシーで成長させたAlN/GaNヘテロ構造の輸送特性に関連する歪緩和

JEGANATHAN K; IDE T; SHIMIZU M; OKUMURA H

文献

J-GLOBAL ID：200902276644785936 整理番号：03A0143732

プラズマ支援分子線エピタクシーで成長させたAlN/GaNヘテロ構造の輸送特性に関連する歪緩和

Strain relaxation correlated with the transport properties of AlN/GaN heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy.

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Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

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巻： 93 号： 4 ページ： 2047-2050 発行年： 2003年02月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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