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J-GLOBAL ID：200902277179762955   整理番号：08A0777831

シンクロトロン放射ベース走査型トンネル顕微鏡法によるナノスケール元素同定

Nanoscale elemental identification by synchrotron-radiation-based scanning tunneling microscopy

著者 (20件)： SAITO Akira (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAITO Akira (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  SAITO Akira (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  TAKAGI Yasumasa (Inst. for Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  TAKAHASHI Koji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HOSOKAWA Hiromasa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HOSOKAWA Hiromasa (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  HANAI Kazuhisa (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  TANAKA Takehiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TANAKA Takehiro (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  AKAI-KASAYA Megumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  AKAI-KASAYA Megumi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  TANAKA Yoshihito (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  SHIN Shik (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  ISHIKAWA Tetsuya (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KUWAHARA Yuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KUWAHARA Yuji (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KUWAHARA Yuji (JST-ICORP, Saitama, JPN) ,  AONO Masakazu (JST-ICORP, Saitama, JPN) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 40  号： 6/7  ページ： 1033-1036  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射ベース走査型トンネル顕微鏡法(STM)を用いたGe(111)-Cu系の元素同定に関する結果を報告した。得られた結果から,~10pAのオーダーでのチップ電流の微小な変化の測定においてナノスケール分解能でCuアイランドが周囲のGe表面と異なることが示された。この研究で記述した実験系,すなわち測定の詳細なステップが従来の半導体ヘテロ界面に対する元素識別だけでなく金属-半導体界面においても高感度であることが分かった。この報告で紹介した結果によって,STMの分解能で化学分析,すなわち局所的反応の制御が研究できることを示した。

シソーラス用語： *表面分析 ,  *ナノ構造 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  シンクロトロン放射 ,  ゲルマニウム ,  単結晶 ,  銅 ,  半導体金属接合 ,  界面 ,  *表面構造 ,  ヘテロ接合 ,  高感度 ,  *元素分析 ,  同定 ,  高分解能 ,  認識 ,  表面反応 ,  反応制御 ,  電極チップ
準シソーラス用語： シグナル認識 ,  界面構造

分類 (3件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： シンクロトロン放射 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  ナノスケール ,  元素 ,  同定