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J-GLOBAL ID:200902280376535937   整理番号:05A0497657

オゾン光解離励起状態酸素原子によるシリコン低温酸化

Ultra-low Temperature Oxidation of Silicon using UV Light-exited Ozone in Wafer-transfer Type Chamber
著者 (4件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 309-312  発行年: 2005年05月20日 
JST資料番号: G0194A  ISSN: 0559-8516  CODEN: SHINA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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UV光励起酸素を用いてシリコンの高速低温酸化を基板搬送型の処...
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  光化学一般 
引用文献 (10件):
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