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J-GLOBAL ID：200902280376535937   整理番号：05A0497657

オゾン光解離励起状態酸素原子によるシリコン低温酸化

Ultra-low Temperature Oxidation of Silicon using UV Light-exited Ozone in Wafer-transfer Type Chamber

著者 (4件)： 戸坂亜希 (産業技術総合研) ,  西口哲也 (産業技術総合研) ,  野中秀彦 (産業技術総合研) ,  一村信吾 (産業技術総合研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 48  号： 5  ページ： 309-312  発行年： 2005年05月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： UV光励起酸素を用いてシリコンの高速低温酸化を基板搬送型の処...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学一般  (CB08010U)

引用文献 (10件)：

• 1) 中田行彦, 東 和文, 岡本哲也, 後藤真志, 佐々木 厚 : 真空, 47 (2004) 357.
• 2) Y. Ebiko and Y. Mishima: Exteded Abstracts of IDW02 (2002) 271.
• 3) Y. Nakata, T. Okamoto, T. Hamada, T. Itoga and Y. Ishii: Extended Abstracts of IWGI 2001 (2001) 120.
• 4) T. Nishiguchi, H. Nonaka, S. Ichimura, Y. Morikawa, M. Kekura and M. Miyamoto: Appl. Phys. Lett., 81 (2002) 2190.
• 5) M. Horvath, L. Bilitzky and J. Huttner: OZONE, (Elsevier Hungary 1985).

タイトルに関連する用語 (6件)： オゾン ,  光解離 ,  励起状態 ,  酸素原子 ,  シリコン ,  低温酸化