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J-GLOBAL ID：200902284589935837   整理番号：04A0758925

7.5MeV陽子照射による,超薄ゲート酸化膜FD-SOI nMOSFETにおける電気的性能の劣化とフローティングボディ効果

Degradation of electrical performance and floating body effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV proton irradiation

著者 (8件)： HAYAMA K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  TAKAKURA K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  OHYAMA H (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  MERCHA A (IMEC, Leuven, BEL) ,  SIMOEN E (IMEC, Leuven, BEL) ,  CLAEYS C (IMEC, Leuven, BEL) ,  RAFI J M (Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP) ,  KOKKORIS M (NCSR ‘Demokritos’, Athens, GRC)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 44  号： 9/11  ページ： 1721-1726  発行年： 2004年09月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 7.5eVの陽子を照射した標題nMOSFETの電気的性能の劣...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 陽子照射 ,  ゲート酸化膜 ,  SOI ,  nMOSFET ,  フローティングボディ効果