単軸応力下の電気めっき銅薄膜の疲れ強さ

MURATA Naokazu; TAMAKAWA Kinji; SUZUKI Ken; MIURA Hideo

文献

J-GLOBAL ID：200902285248055541 整理番号：09A0389832

単軸応力下の電気めっき銅薄膜の疲れ強さ

Fatigue Strength of Electroplated Copper Thin Films under Uni-Axial Stress

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資料名：
巻： 3 号： 3 ページ： 498-506 (J-STAGE) 発行年： 2009年
JST資料番号： U0026A ISSN： 1880-9871 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

電気めっき銅薄膜の疲れ強さを単軸応力下で測定した。疲れ試験用に2種類の電気めっき皮膜を作製した。1つは主にプリント基板の配線に使われるコマーシャルフィルムであり,もう1つの皮膜は,何ら添加剤を使わずに酸性硫酸銅浴を用いてステンレス鋼基板上で生成した。各皮膜の微小集合組織をSEM(走査電子顕微鏡)およびSIM(走査イオン顕微鏡)を使って観察した。各皮膜の微小集合組織は全く異なることが分かった。各皮膜の降状応力,破壊伸びおよびYoung率などの機械的性質はそれらの皮膜の微細構造に基づくバルク銅の機械的性質によって大きく変わった。低サイクル疲れ強さもまた,互いに劇的に変わった。一方高サイクル疲れ強さはほぼ同じであった。疲れ試験後,破面をSEMで観察した。疲れ試験後,2つの破壊モードがあることが分かった。1つは典型的な延性破壊であり,もう1つは降伏応力よりも大きな疲れ荷重下でさえも脆性破壊であった。延性破壊が発生した時,粒内割亀裂伝搬が観察された。一方,粒間亀裂成長は脆性破壊が発生した時に現れた。これらの結果からはっきり分かったことは,電気めっき銅薄膜の疲れ強さはそれらの微細組織によって変わることである。(翻訳著者抄録)

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電気めっき

引用文献 (10件)：

[1] International Technology Roadmap for Semiconductors 2005.
[2] M. Kiuchi, Y. Isono, and S. Sugiyama, Proc. of Mechanical Engineering Congress, 2004 Japan. Vol. 1, (2004), pp. 367-368.
[3] H. Miura, K. Sakutani, and K. Tamakawa, Key Engineering Materials, Vols. 353-358, (2007), pp. 2954-2957.
[4] M. Otani, K. Sakutani, K. Tamakawa, K. Suzuki, and H. Miura, Proc. of the ASME Pacific Rim Techni-cal Conference and Exhibition on Integration and Packaging of Micro, Nano, and Electronic Systems, No. IPACK2007-33261 (CDROM), (2007.7), pp. 1-7.
[5] K. Tamakawa, K. Sakutani, and H. Miura, Journal of The Society of Materials Science Japan, Vol. 56, No. 10, (2007.10), pp. 907-912.

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