文献

J-GLOBAL ID：200902285473985361   整理番号：03A0534107

リモートプラズマ金属有機化学蒸着におけるOHラジカルによるZnO成長の活性化

OH Radical Activation of ZnO Growth in Remote Plasma Metalorganic Chemical Vapor Deposition

著者 (6件)： NAKAMURA A (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SHIGEMORI S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SHIMIZU Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  AOKI T (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TANAKA A (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TEMMYO J (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 7A  ページ： L775-L777  発行年： 2003年07月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リモートプラズマ支援MOCVD(RPE-MOCVD)によるZ...

シソーラス用語： *MOCVD ,...
準シソーラス用語： 担体

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

引用文献 (15件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) M. Bhatnagar and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 40 (1993) 645.
• 3) D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason and G. Cantwell: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1830.
• 4) K. Haga, M. Kamidaira, Y. Kashiwaba, T. Sekiguchi and H. Watanabe: J. Cryst. Growth 214–215 (2000) 77.
• 5) K. Ogata, T. Kawanishi, K. Maejima, K. Sakurai, Sz. Fujita and Sg. Fujita: J. Cryst. Growth 237–239 (2002) 553.

タイトルに関連する用語 (6件)： リモートプラズマ ,  金属有機化学蒸着 ,  OHラジカル ,  ZnO ,  成長 ,  活性化