最近10年の結晶成長の動き  III族窒化物半導体結晶の進展

文献

J-GLOBAL ID：200902287126350219 整理番号：05A0241529

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0241529&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0241529&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0452B") }}

著者 (1件)：
資料名：
巻： 31 号： 5 ページ： 428-430 発行年： 2005年01月31日
JST資料番号： F0452B ISSN： 0385-6275 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

MOCVD法によりGaN薄膜成長が可能になり,バッファ層と横...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0241529&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0452B") }}

半導体薄膜

引用文献 (17件)：

, , , , ,

前のページに戻る