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J-GLOBAL ID：200902289902135547   整理番号：08A0575251

バルク敏感x線光電子分光法において観測される透明な非晶質酸化物半導体,In-Ga-Zn-O,におけるサブギャップ状態

Subgap states in transparent amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy

著者 (8件)： NOMURA Kenji (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  KAMIYA Toshio (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  YANAGI Hiroshi (Materials and Structures Lab., Mailbox R3-1, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  IKENAGA Eiji (SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN) ,  YANG Ke (SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN) ,  KOBAYASHI Keisuke (SPring-8 Beamline Station, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN) ,  HIRANO Masahiro (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  HOSONO Hideo (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 20  ページ： 202117  発行年： 2008年05月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,キャリヤ濃度の高い非晶質In-Ga-Zn-O薄膜の電子状態を,光吸収および硬x線光電子分光法(HX-PES)によって研究した結果を報告する。Hall移動度の異なる薄膜を準備し,それらに対するアニーリングの効果を研究した。HX-PESスペクトルから,Fermi端構造と付加的なサブギャプの状態密度(DOS)を解析することができた。光学スペクトルにおいて観測されるテイル型構造は,価電子帯の頂上(VBM)近傍におけるサブギャップのDOS(≫10²⁰cm^-3)に起因することが分かった。VBM近傍におけるサブギャップDOSの存在はIn-Ga-Zn-Oから成る薄膜トランジスタが,オフ状態において飽和し難く,また反転pチャンネルモードで動作し難い理由である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： X線光電子スペクトル ,  *非晶質半導体 ,  *酸化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  キャリア密度 ,  Hall移動度 ,  焼なまし ,  Fermi準位 ,  薄膜トランジスタ ,  *バンド構造
準シソーラス用語： サブギャップ

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： バルク ,  X線光電子分光法 ,  観測 ,  非晶質 ,  酸化物半導体 ,  Ga ,  Zn ,  サブギャップ