文献

J-GLOBAL ID：200902292893556977   整理番号：05A0763833

InP基板上に成長させた2μmの波長域で作動するInGaAsSbN量子井戸型レーザーダイオードの発振特性

Lasing Characteristics of InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes at 2-μm-Wavelength Region Grown on InP Substrates

著者 (4件)： KAWAMURA Yuichi (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAMURA Yuichi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NAKAGAWA Tomokatsu (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE Naohisa (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 8  ページ： 6000-6001  発行年： 2005年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2μmの波長域で作動するInGaAsSbN量子井戸型レーザー...

シソーラス用語： リン化インジウム ,...
準シソーラス用語： しきい電流

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分類 (1件)： 固体レーザ  (BD04080W)

引用文献 (7件)：

• 1) J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, G. L. Belenky, D. Z. Garbuzov and W. K. Chan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3146.
• 2) D.-K. Shih, H.-H. Lin and Y. H. Lin: Electron. Lett. 37 (2001) 1343.
• 3) J. Wagner, D. Serries, K. Kohler, P. Ganser, M. Maier, L. Kirste and R. Kiefer: Proc. 16th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IEEE, Piscataway, NJ, 2004) p. 32.
• 4) Y. Kawamura, T. Nakagawa and N. Inoue: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L1320.
• 5) H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama and A. Kasukawa: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7 (2001) 355.

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  成長 ,  波長域 ,  量子井戸 ,  レーザーダイオード ,  発振特性