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J-GLOBAL ID：200902234152347734   整理番号：04A0803843

InP基板上に成長したInGaAsSbN量子井戸ダイオードについてエレクトロルミネセンスとレーザ発振におよぼすアニーリング効果

Annealing Effects on Electroluminescence and Laser Operation of InGaAsSbN Quantum Well Diodes grown on InP Substrates

著者 (3件)： KAWAMURA Y (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAGAWA T (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE N (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 10A  ページ： L1320-L1322  発行年： 2004年10月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP基板上に成長したInGaAsSbN量子井戸ダイオードの...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (18件)：

• 1) K. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1273.
• 2) H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama and A. Kasukawa: IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 7 (2001) 355.
• 3) S. R. Bank, M. A. Wistery, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha and J. S. Harris, Jr.: Electron. Lett. 39 (2003) 1445.
• 4) M. R. Gokhale, J. Wei, H. Wang and S. R. Forrest: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1287.
• 5) A. Ubukata, J. Dong, K. Matsumoto and Y. Ishihara: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 5962.

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  成長 ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  レーザ発振 ,  アニーリング効果