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J-GLOBAL ID：200902293070242647   整理番号：09A0051154

制御された分極型強誘電ゲート電界効果トランジスタの電気特性

Electrical Characteristics of Controlled-Polarization-Type Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor

著者 (6件)： FUKUSHIMA Tadahiro (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  YOSHIMURA Takeshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  MASUKO Keiichiro (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  MAEDA Kazuhiro (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  ASHIDA Atsushi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  FUJIMURA Norifumi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 12  ページ： 8874-8879  発行年： 2008年12月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御された分極型強誘電ゲート電界効果トランジスタ(FET)と呼ぶ極性半導体チャネルをもつ新しい強誘電ゲートFETを提案した。この素子の本質的因子は,ZnOまたはGaNのような極性半導体の自発分極による強誘電膜の自発分極の安定化である。ZnO/YMnO/Pt底部ゲート構造とPt/PZT/ZnO最上部ゲート構造をもつ2種類の制御された分極型強誘電ゲート薄膜トランジスタ(TFT)を実現した。両構造はnチャネル型トランジスタ動作を示し,強誘電性に由来するメモリ効果を伴う。この強誘電ゲートTFTの電気特性に基づいて,強誘電性,ゲート漏れ電流,空間電荷と電荷注入が,素子動作におよぼす効果を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  酸化亜鉛 ,  窒化ガリウム ,  自発分極 ,  イットリウム化合物 ,  マンガン化合物 ,  酸化物 ,  白金 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  記憶効果 ,  漏れ電流 ,  空間電荷 ,  キャリア注入 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  メモリー効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Devices 10(1963)338.
• H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys.32(1993)442.
• K. Sugibuchi, Y. Kurogi, and N. Endo: J. Appl. Phys.46(1975)2877.
• S. Sakai, R. Ilangovan, and M. Takahashi: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004)7876.
• M. Takahashi and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005) L800.

タイトルに関連する用語 (4件)： 分極 ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  電気特性