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J-GLOBAL ID：200902293825792103   整理番号：03A0612106

HfC被覆Si電界エミッタアレイの作製と評価

Fabrication and characterization of HfC coated Si field emitter arrays
著者 (6件)：
SATO T

SATO T について

(Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN)

Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN について

, 
YAMAMOTO S

YAMAMOTO S について

(Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN)

Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN について

, 
NAGAO M

NAGAO M について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
MATSUKAWA T

MATSUKAWA T について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
KANEMARU S

KANEMARU S について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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ITOH J

ITOH J について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 21  号： 4  ページ： 1589-1593  発行年： 2003年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si電界エミッタアレイ(FEA)の放出特性を改善するために引...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ハフニウム化合物

ハフニウム化合物 について

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分類 (3件)：
分類
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熱電子放出,電界放出 
(BM09020S)

熱電子放出,電界放出 について

,  その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

その他の無機化合物の薄膜 について

,  その他の固体デバイス 
(NC03150A)

その他の固体デバイス について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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HFC

HFC について

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Si

Si について

, 
電界エミッタアレイ

電界エミッタアレイ について

, 
作製

作製 について

, 
評価

評価 について


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