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J-GLOBAL ID：200902295980173390   整理番号：07A0666753

埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性の数値計算

著者 (1件)： 三宅雅保 (福山大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J90-C  号： 7  ページ： 567-576  発行年： 2007年07月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 表面にpn接合をもつ埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性...

シソーラス用語： PN接合 ,...
準シソーラス用語： MOSキャパシタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• 三宅雅保, “埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性,”信学論 (C), vol. J85-C, no.6, pp. 462-469, June2002.
• M. R. Macpherson,“Threshold shift calculations for ion implanted MOS devices,” Solid-State Electron., vol.15, pp. 1319-1326, 1972.
• A. Berman and D. E. Kerr,“Inversion charge redistribution model of the high-frequency MOS capacitance,” Solid-State Electron., vol.17, pp. 735-742, 1974.
• J. T. Watt and J. D. Plumer,“Efficient numerical simulation of the high-frequency MOS capacitance,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-34, no.10, pp. 2214-2216, 1987.
• A. G. Fortino and J. S. Nadan,“An efficient numerical method for the small-signal AC analysis of MOS capacitors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-24, no.9, pp. 1137-1147, 1977.

タイトルに関連する用語 (4件)： 埋込 ,  チャネル ,  MOSキャパシタ ,  数値計算