文献

J-GLOBAL ID：200902298754784130   整理番号：06A0590490

還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO₂膜の初期絶縁破壊

Initial Breakdown of HfO₂ by Formation Process of Gate Electrode in Reduction Atmosphere

著者 (11件)： 水林亘 (半導体MIRAIプロジェクト) ,  小川有人 (半導体MIRAIプロジェクト) ,  生田目俊秀 (半導体MIRAIプロジェクト) ,  佐竹秀喜 (半導体MIRAIプロジェクト) ,  鳥海明 (半導体MIRAIプロジェクト) ,  鳥海明 (産業技術総合研 次世代半導体研究セ) ,  水林亘 (産業技術総合研 次世代半導体研究セ) ,  小川有人 (超先端電子技術開発機構) ,  生田目俊秀 (超先端電子技術開発機構) ,  佐竹秀喜 (超先端電子技術開発機構) ,  鳥海明 (東大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 106  号： 108(SDM2006 42-64)  ページ： 107-111  発行年： 2006年06月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 還元雰囲気下でのSiゲート電極形成プロセスによるHfO<su...

シソーラス用語： *還元 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (9件)：

• GILMER, D. C. compatibility of polycrystalline silicon gate deposition with HfO_2 and Al_2O_3/HfO_2 gate dielectrics. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 7, 1288-1290
• PERKINS, C. M. thermal stability of polycrystalline silicon electrodes on ZrO_2 gate dielectrics. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 8, 1417-1419
• STEMMER, S. thermodynamic considerations in the stability of binary oxides for alternative gate dielectrics in complementary metal-oxide-semiconductors. J. Vac. Sci. Technol. B. 2004, 22, 2, 791-800
• TAKAHASHI, H. chemical reaction at the interface between polycrystalline Si electrodes and HfO_2/Si gate dielectrics by annealing in ultrahigh vacuum. Appl. Phys. Lett. 2005, 85, "012903-1"-"012903-3"
• COPEL, M. decomposition of interfacial SiO_2 during HfO_2 deposition. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 16, 3398-3400

タイトルに関連する用語 (6件)： 還元雰囲気 ,  ゲート電極 ,  形成プロセス ,  HfO2 ,  初期 ,  絶縁破壊