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J-GLOBAL ID：200902299606209620   整理番号：03A0443015

レーザアニールによるSi薄膜溶融,結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化

In-situ Observation of Laser-induced Melting and Resolidification Dynamics of Si Thin Films

著者 (4件)： 波多野睦子 (日立 中研) ,  田井光春 (日立 中研) ,  芝健夫 (日立 中研) ,  GRIGOROPOULOS C P (Univ. Calfornia, CA, USA)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 24  号： 6  ページ： 375-382  発行年： 2003年06月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si薄膜に短パルス(FWHM=25ns)エキシマレーザを照射...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (11件)：

• 1) K. Murakami, O. Eryu, K. Takita and K. Masuda: Phys. Rev. Lett. 59, 2519 (1987).
• 2) X. Xu, R.E. Russo and C.P. Grigoropoulos: Appl. Phys. A 62, 51 (1996).
• 3) S.R. Stiffler and M.O. Thompson: Phys. Rev. Lett. 60, 2519 (1988).
• 4) R.F. Wood and G.A. Geist: Phys. Rev. Lett. 57, 873 (1986).
• 5) J.S. Im, M.A. Crowder, R.S. Sposili, J.P. Leonard, H.J. Kim, J.H. Yoon, V.V. Gupta, H.J. Song and H.S. Cho: Phys. Stat. Sol. (a) 166, 603 (1998).

タイトルに関連する用語 (9件)： レーザアニール ,  Si薄膜 ,  溶融 ,  結晶化 ,  過程 ,  実時間 ,  観測 ,  結晶 ,  高品質化