半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳丸達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-420839
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253781
出願日： 2003年12月18日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】 Si-H結合をもつ絶縁膜とCu配線との間にバリアメタル膜としてTa膜を介在させ、直接絶縁膜とTa膜が接すると、Ta膜が水素吸蔵により脆弱化し、CMPなどの工程で剥がれが発生するという問題がある。【解決手段】 Si-H結合をもつ絶縁膜とCu配線との間にバリアメタル膜としてTa膜とTaN膜との積層膜が、TaN膜が絶縁膜側となるように介在させる。TaN膜が絶縁膜中のHのTa膜への吸蔵を妨害することにより、Ta膜の脆弱化が抑制される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を含んだ下地上に、Si-H結合を有する層間絶縁膜とCuを主たる構成元素とする導電膜を有し、前記層間絶縁膜と前記Cuを主たる構成元素とする導電膜との間に金属窒化膜を有し、前記Cuを主たる構成元素とする導電膜と前記金属窒化膜との間に金属膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/3205 , H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/88 R , H01L21/90 A

Fターム (51件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ54 , 5F033QQ60 , 5F033QQ61 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033QQ96 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS15 , 5F033WW04 , 5F033XX09 , 5F033XX20 , 5F033XX27 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置、半導体ウェーハおよびこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143725 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (6件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-229160 出願人：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-324594 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-158065 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る