特許

J-GLOBAL ID：200903024057860717

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 今井 俊則 ,  野口 純司 ,  大橋 直史 ,  齋藤 達之 ,  山口 日出 ,  藤原 剛
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324594
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150517
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線を有する半導体集積回路装置の信頼度を向上することのできる技術を提供する。【解決手段】 ダマシンプロセスでCu配線M1 を形成した後、半導体基板1に減圧状態においてシラン系ガス雰囲気中で約350°Cの熱処理を施し、Cu配線M1 の表面に選択的にシリサイド層(CuSix )6を形成する。このシリサイド層6によって、Cu配線M1 からのCuの拡散を防ぎ、また、Cu配線M1 とCu配線M1 の上層に形成される窒化シリコン膜7との接着性を向上させる。

請求項（抜粋）：

第1層間絶縁膜の上層に第2層間絶縁膜が形成され、前記第1層間絶縁膜に溝パターンが形成され、前記溝パターンにCu配線が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、前記Cu配線の表面にシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 Q

Fターム (51件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW02 ,  5F033WW05 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-137144   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210624   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235164   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343495   出願人：三菱電機株式会社