特許
J-GLOBAL ID：200903000180038014

III族窒化物半導体光素子

発明者：
笹岡 千秋

笹岡 千秋 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-001314
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121107
出願日： 2006年01月06日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術により実現される新規な素子構造を提供する。【解決手段】半導体レーザは、p型GaNガイド層307と、p型GaNガイド層307上に形成された、AlN層である電流狭窄層308と、電流狭窄層308の開口部を埋め込むように形成されたp型クラッド層309とを有する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第一の層と、該第一の層上に形成された、開口部を有する第二の層と、該開口部を埋め込むように前記第一および第二の層上に形成された第三の層と、が積層された層構造を有し、前記第二の層がAlαGa1-αN(0≦α≦1)からなることを特徴とするIII族窒化物半導体光素子。
IPC (4件)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L29/80 H
Fターム (29件)：
5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AF96 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP37 ,  5F173AP62 ,  5F173AP67 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR24 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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