特許
J-GLOBAL ID:200903000221324949

マイクロアレイ作製用基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-009708
公開番号(公開出願番号):特開2008-268180
出願日: 2008年01月18日
公開日(公表日): 2008年11月06日
要約:
【課題】基板上で酸化ケイ素鎖を有する単分子膜を用いて標的分子の固定化を行う際に、高精度な加工を行ないつつも、工程をより簡便にするため、化学増幅型レジストを直接基板上に適用しても、解像性劣化や剥がれという問題を生じず、更に従来の行なわれてきた工程よりも簡便に固定化用の基板が得られるマイクロアレイ作製用基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 マイクロアレイ作製用基板の製造方法であって、少なくとも、基板上に下記一般式(1) Y3Si-(CH2)m-X (1)(式中、mは3以上20以下の整数を表し、Xは水酸基前駆体官能基を示す。Yは独立してハロゲン原子又は炭素数1から4のアルコキシ基を示す。)で示されるシラン化合物を用いて単分子膜を形成する工程と、前記Xで示される水酸基前駆体官能基を水酸基に変換する工程、を含むことを特徴とするマイクロアレイ作製用基板の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
マイクロアレイ作製用基板の製造方法であって、少なくとも、基板上に下記一般式(1) Y3Si-(CH2)m-X (1) (式中、mは3以上20以下の整数を表し、Xは水酸基前駆体官能基を示す。Yは独立してハロゲン原子又は炭素数1から4のアルコキシ基を示す。) で示されるシラン化合物を用いて単分子膜を形成する工程と、前記Xで示される水酸基前駆体官能基を水酸基に変換する工程、を含むことを特徴とするマイクロアレイ作製用基板の製造方法。
IPC (3件):
G01N 33/543 ,  G01N 33/53 ,  G01N 37/00
FI (3件):
G01N33/543 525U ,  G01N33/53 M ,  G01N37/00 102
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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