特許
J-GLOBAL ID：200903000222243136

タンタル酸化物膜を絶縁膜として有するキャパシタの製造方法

発明者：
細田 恵三

細田 恵三 について

, 
村木 雄介

村木 雄介 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151395
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064144
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】下部電極の酸化を抑制しつつタンタル酸化物膜の膜質を改善し得るキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】下部導電膜(11)の上にタンタル酸化物膜(12)を気相堆積させた後、このタンタル酸化物膜を活性酸素種で処理し、不活性雰囲気中においてタンタル酸化物の結晶化温度より10〜80°C低い温度でアニール処理する。しかる後、このタンタル酸化物膜(12)上に上部導電膜(13)を形成する。
請求項（抜粋）：
下部導電膜の上にタンタル酸化物膜を気相堆積させる工程、該タンタル酸化物膜を活性酸素種で処理する工程、該活性酸素種で処理したタンタル酸化物膜を不活性雰囲気中においてタンタル酸化物の結晶化温度より10〜80°C低い温度でアニール処理する工程、および該アニール処理したタンタル酸化物膜上に上部導電膜を形成する工程を備えることを特徴とするタンタル酸化物膜を絶縁膜として有するキャパシタの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/822 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (6件)：
C23C 16/40 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651
Fターム (35件)：
4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F083AD60 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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