金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204502
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021874
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なうことができる金属酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】金属酸化膜の形成方法において、被処理体Wの表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて非晶質状態の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程と、前記金属酸化膜が形成された被処理体を活性酸素雰囲気下にて前記金属酸化膜の結晶化温度以下の状態に所定の時間維持して改質を行った後に結晶化温度以上に昇温することにより前記金属酸化膜中に含まれる有機不純物を脱離させつつ前記金属酸化膜を結晶化させる結晶化工程とを有するように構成する。これにより、改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なう。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて非晶質状態の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程と、前記金属酸化膜が形成された被処理体を活性酸素雰囲気下にて前記金属酸化膜の結晶化温度以下の状態に所定の時間維持して改質を行った後に結晶化温度以上に昇温することにより前記金属酸化膜中に含まれる有機不純物を脱離させつつ前記金属酸化膜を結晶化させる結晶化工程とを有することを特徴とする金属酸化膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , C23C 16/56 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/316 P , C23C 16/40 , C23C 16/56 , H01L 21/31 B

Fターム (31件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA17 , 4K030BA42 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 5F045AA06 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045CA05 , 5F045DQ10 , 5F045DQ17 , 5F045EN04 , 5F045HA16 , 5F045HA25 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF04 , 5F058BH01 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH07 , 5F058BH17

引用特許：

審査官引用 (5件)

成膜・改質集合装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-130258 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体素子のキャパシタ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-223983 出願人：三星電子株式会社
特開平2-283022

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