特許
J-GLOBAL ID：200903000267398866

半導体集積回路及びその製造方法

発明者：
榊原 勝利

榊原 勝利 について

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和田 守夫

和田 守夫 について

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津波古 充吉

津波古 充吉 について

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土橋 万知夫

土橋 万知夫 について

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塚田 隆士

塚田 隆士 について


出願人/特許権者：
横河電機株式会社

横河電機株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-019925
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200801
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 金の汚染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な半導体集積回路を実現する。【解決手段】 フリップチップボンディングをMOSデバイスに適用した半導体集積回路において、ウェハ上に形成されたアルミニウム配線9と、ウェハ及び前記アルミニウム配線上に形成された絶縁膜10と、アルミニウム配線上であって絶縁膜が除去された部分に形成されたチタン薄膜11及びこのチタン薄膜上にさらに形成された銀薄膜12から構成されるバリアメタル50と、ラディエーションダメージ回復後にバリアメタル上に形成され成分がSn-3wt%Agであるハンダバンプ13とを設ける。
請求項（抜粋）：
フリップチップボンディングをMOSデバイスに適用した半導体集積回路において、ウェハ上に形成されたアルミニウム配線と、前記ウェハ及び前記アルミニウム配線上に形成された絶縁膜と、前記アルミニウム配線上であって前記絶縁膜が除去された部分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上にさらに形成された銀薄膜から構成されるバリアメタルと、ラディエーションダメージ回復後に前記バリアメタル上に形成され成分がSn-3wt%Agであるハンダバンプとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 D
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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