特許
J-GLOBAL ID：200903000335220159
基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122691
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：
【要約】【課題】 基板の析出表面上での反応ガスからの原子又は分子のエピタキシャルな析出方法【解決手段】 少なくとも析出表面(5)を加熱することにより第1のエネルギー量を供給し、その際、第1のエネルギー量は析出表面(5)上に反応ガス(9)の原子又は分子をエピタキシャルに析出するために必要なエネルギー量よりも低く、イオン化された不活性ガス(11)のイオンの作用によって析出表面(5)上へ第2のエネルギー量を少なくとも一時的に供給するために、イオン化された不活性ガス(11)を少なくとも一時的に析出表面(5)上へ導き、その際、第1のエネルギー量及び第2のエネルギー量は少なくとも一時的に加算されて、析出表面(5)上へ反応ガス(9)の原子又は分子がエピタキシャルに析出するために十分な総エネルギー量になる、基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法。
請求項（抜粋）：
基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法において、次の工程:少なくとも析出表面(5)を加熱することにより第1のエネルギー量を供給し、その際、第1のエネルギー量は析出表面(5)上に反応ガス(9)の原子又は分子をエピタキシャルに析出するために必要なエネルギー量よりも低く:イオン化された不活性ガス(11)のイオンの作用によって析出表面(5)上へ第2のエネルギー量を少なくとも一時的に供給するために、イオン化された不活性ガス(11)を少なくとも一時的に析出表面(5)上へ導き、その際、第1のエネルギー量及び第2のエネルギー量は少なくとも一時的に加算されて、析出表面(5)上へ反応ガス(9)の原子又は分子がエピタキシャルに析出するために十分な総エネルギー量になる、を特徴とする、基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 25/02 P
, H01L 21/205
