特許
J-GLOBAL ID：200903000381919086

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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小山 潤

小山 潤 について

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柴田 寛

柴田 寛 について

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福永 健司

福永 健司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000690
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269511
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 回路機能に応じて適切な構造のTFTを配置し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 同一基板上に駆動回路部と画素部とを有する半導体装置において、駆動TFTのゲート絶縁膜115、116を画素TFTのゲート絶縁膜117よりも薄く設計する。また、駆動TFTのゲート絶縁膜115、116と保持容量の誘電体118とを同時に形成するため、誘電体118は非常に薄く、大きなキャパシティを確保することができる。
請求項（抜粋）：
同一基板上に駆動回路部と画素部とを有する半導体装置において、前記駆動回路部の駆動TFTと前記画素部の画素TFTとは互いにゲート絶縁膜の膜厚が異なり、前記画素部に形成された保持容量の誘電体の膜厚は、前記駆動TFTのゲート絶縁膜の膜厚と同一であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H04N 5/66 102
FI (9件)：
H01L 29/78 617 S ,  H01L 21/20 ,  H04N 5/66 102 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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