透明導電膜およびその製造方法並びにその用途

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127633
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307554
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】大型高精細ELパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得ることが可能となる。【解決手段】実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ga/(In+Sn+Ga)の原子比が2〜9%の割合で含有されていることが好ましい。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (6件)：

H01B 5/14 , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 , C03C 17/245 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503

FI (6件)：

H01B 5/14 A , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 A , C03C 17/245 A , C23C 14/08 D , H01B 13/00 503 B

Fターム (26件)：

4F100AA17A , 4F100AA28A , 4F100AA33A , 4F100AG00B , 4F100BA02 , 4F100DD07A , 4F100EH662 , 4F100JG01 , 4F100JG04 , 4F100JN01 , 4F100YY00A , 4G059AA01 , 4G059AC12 , 4G059EA01 , 4G059EA02 , 4G059EA03 , 4G059EB04 , 4K029BA45 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029CA06 , 5G307EF10 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G323BA02 , 5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (11件)

有機EL素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-230409 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開平4-272612
電極の製造方法および電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-230410 出願人：ティーディーケイ株式会社

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