特許
J-GLOBAL ID：200903000387962862
透明導電膜およびその製造方法並びにその用途
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127633
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307554
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 大型高精細ELパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得ることが可能となる。【解決手段】 実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ga/(In+Sn+Ga)の原子比が2〜9%の割合で含有されていることが好ましい。
請求項（抜粋）：
実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下であることを特徴とする透明導電膜。
IPC (6件)：
H01B 5/14
, B32B 7/02 104
, B32B 9/00
, C03C 17/245
, C23C 14/08
, H01B 13/00 503
H01B 5/14 A
, B32B 7/02 104
, B32B 9/00 A
, C03C 17/245 A
, C23C 14/08 D
, H01B 13/00 503 B
4F100AA17A
, 4F100AA28A
, 4F100AA33A
, 4F100AG00B
, 4F100BA02
, 4F100DD07A
, 4F100EH662
, 4F100JG01
, 4F100JG04
, 4F100JN01
, 4F100YY00A
, 4G059AA01
, 4G059AC12
, 4G059EA01
, 4G059EA02
, 4G059EA03
, 4G059EB04
, 4K029BA45
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA06
, 5G307EF10
, 5G307FA01
, 5G307FB01
, 5G323BA02
, 5G323BB05
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (12件)
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