特許
J-GLOBAL ID：200903000416442652
シリコン表面および金属表面の処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274564
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107765
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】光学材料としても金型の原体としても好適なシリコンの表面に、側面の傾斜が大きい錐体状の凸部を有する凹凸を形成する方法、および、金型として直接利用し得る金属の表面に、側面の傾斜が大きい錐体状の凹部を有する凹凸を形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン基板(20)の表面に、シリコンよりもエッチング速度の遅い材料を用いて、2次元配列状にマスク(10)を設け、マスクが消失するまで反応性イオンエッチングを行う。また、ニッケル基板の表面に、ニッケルよりもエッチング速度の遅い材料を用いて、2次元配列の開口を有するようにマスクを設け、隣り合う開口が接するまで物理エッチングを行う。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
シリコンの表面にマスクを設けておき、エッチングによってシリコンの露出している表面を処理する方法において、
シリコンよりも遅い速度でエッチングされる材料から成るマスクを、2次元配列を成すように複数設けて、
マスクが所定の大きさになるまで反応性イオンエッチングを行うことを特徴とするシリコン表面の処理方法。
IPC (3件)：
C23F4/00
, G02B1/11
, H01L21/3065
C23F4/00 A
, H01L21/302 105A
, G02B1/10 A
2K009AA12
, 2K009BB04
, 2K009BB06
, 2K009DD17
, 4K057DA11
, 4K057DB03
, 4K057DB06
, 4K057DB17
, 4K057DD03
, 4K057DE08
, 4K057DE10
, 4K057DE14
, 4K057DK03
, 4K057DN01
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA15
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004EA05
, 5F004EB08
