特許
J-GLOBAL ID：200903000470590314
半導体素子の障壁層の形成方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187602
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031521
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 MOCVD法を使用しない半導体素子の障壁層の形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明によれば半導体基板上の層間絶縁膜上にコンタクトホールを形成し、コンタクトホール及びその外側の層間絶縁膜にTi層を積層した後に同一の装置内で窒素ガスをマイクロウェーブで処理して窒素ラジカルを形成し、これをTi層と反応させることによって高純度のTiN層を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する段階と、前記コンタクトホールの内部及び前記層間絶縁膜上にTi層を形成する段階と、前記Ti層と窒素ラジカルを反応させて前記Ti層の一部分をTiN層に変換させる段階とを含むことを特徴とする半導体素子の障壁層の形成方法。
Fターム (8件)：
4M104BB30
, 4M104CC01
, 4M104DD16
, 4M104DD37
, 4M104DD86
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104HH15
