液晶表示装置とその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263301
公開番号（公開出願番号）：特開2001-142097
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】特に高精細液晶表示装置において開口率が向上し、高い信頼性を有し、蓄積容量電極における充電の遅延及びその静電容量のバラツキが抑制され、しかも構造が簡単で低コストで歩留まりよく製造できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】アドレス配線10a,10b上に形成されたゲート絶縁層を挟んでアドレス配線10a,10bと交差するように帯状のデータ配線20a,20bが配置されている。データ配線20a,20b上に上層絶縁層が形成され、この上層絶縁層上に画素電極31が形成されている。蓄積容量部50は隣接する画素領域P2のアドレス配線10bから画素領域P1内に延びる共通電極52と、ゲート絶縁層を挟んで共通電極52との間で静電容量を蓄積する蓄積容量電極51とを備える。蓄積容量電極51と画素電極31とが上層絶縁層を貫通する導電性貫通孔33により接続され、かつ蓄積容量電極51と薄膜トランジスタ部40のソース電極43とが配線53を介して同一金属膜で一体に形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された複数のアドレス配線と、前記アドレス配線の上に形成されたゲート絶縁層と、このゲート絶縁層を挟んで前記アドレス配線と交差するように形成された複数のデータ配線と、前記データ配線の上に形成された上層絶縁層と、前記上層絶縁層の上に形成され前記アドレス配線とデータ配線とに囲まれた画素領域内の液晶に電位を印加する透明導電膜からなる画素電極と、前記各画素領域に配置され、前記アドレス配線に接続されたゲート並びに前記データ配線及び前記画素電極に接続された1対の電極を有し、前記ゲートに印加される信号により前記1対の電極を選択的に接続する薄膜トランジスタ部と、前記各画素領域に隣接する画素領域のアドレス配線に接続された共通電極との間又は前記絶縁性基板上に形成されて前記各画素領域を通る補助容量共通配線との間に静電容量を蓄積する蓄積容量電極とを備え、前記薄膜トランジスタ部の前記画素電極に接続された電極と前記蓄積容量電極とが同一金属膜で一体に形成され、前記蓄積容量電極と前記画素電極とが前記蓄積容量電極上に設けられた導電性貫通孔により接続されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/1335 500 , G02F 1/1335 505 , G09F 9/30 338 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/1335 500 , G02F 1/1335 505 , G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 612 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

アクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135775 出願人：シャープ株式会社
透過型液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-211779 出願人：シャープ株式会社
アクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-157051 出願人：シャープ株式会社

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