特許

J-GLOBAL ID：200903000560833186

表示装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  浜田 崇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232846
公開番号（公開出願番号）：特開2004-070223
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】薄膜トランジスタが作り込まれた基体上に、電子ビーム蒸着法で薄膜を形成する際に、薄膜トランジスタの特性異常を招くことなく所望の薄膜を形成するための技術を提供することを課題とする。【解決手段】トランジスタと電気的に接続する電極上に、電子ビーム蒸着法により薄膜を形成するに当たり、薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線が成膜表面に放射される時間を短くするために、成膜速度を制御することを特徴とするものである。実質的には、電子線の電流値を制御して成膜速度を高め、成膜表面に放射線が放射される時間を短くして、薄膜トランジスタの劣化を抑制するものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

スイッチングTFT、駆動TFT、第1電極、および発光体を間に挟んで形成された第2電極を有する表示装置において、 前記スイッチングTFTはnチャネル型TFTであり、前記駆動TFTはpチャネル型TFTであって、 前記第2電極の成膜前後における前記nチャネル型TFTのしきい値電圧の変化は0〜-1Vの範囲内であり、 前記pチャネル型TFTのしきい値電圧の変化は0〜-1.7Vの範囲内であり、 前記nチャネル型TFTのS値の変化は0〜0.1V/dec.の範囲内であり、 前記pチャネル型TFTのS値の変化は0〜0.1V/dec.の範囲内であることを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

G09F9/30 ,  H01L21/285 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (6件)：

G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H01L21/285 P ,  H05B33/14 A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 612A

Fターム (46件)：

3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH11 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HM15 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 有機EL素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325557   出願人：出光興産株式会社, 日本真空技術株式会社
• 半導体基板及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295474   出願人：株式会社日立製作所
• アクティブマトリクス有機EL表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-215476   出願人：日本電気株式会社
• TFTマトリクスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-214023   出願人：富士通株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-329147   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所