特許
J-GLOBAL ID：200903000562739934
シリコン基体表面の凹凸形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 敬介
, 山口 芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-016631
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210394
出願日： 2005年01月25日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 太陽電池用シリコン基体の形成に応用できる簡便で量産性のあるシリコン基体表面の凹凸形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位103と該電極部以外の部位104とにおけるレジストパターンが異なることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、前記シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位と該電極部以外の部位とにおけるパターンが異なることを特徴とするシリコン基体表面の凹凸形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F051AA03
, 5F051BA14
, 5F051CB30
, 5F051GA15
