特許
J-GLOBAL ID：200903000571317732
不揮発性記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-304494
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115320
出願日： 2005年10月19日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】スピン注入方式のメモリセルにおいてデータ読出時に誤書込を抑制することが可能な不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】ピン層側からフリー層側へのデータ書込電流は、フリー層側からピン層側へのデータ書込電流よりも大きい。データ読出電流は、データ書込電流よりも小さい値であり、高抵抗状態と低抵抗状態とでデータ読出電流の差が比較的小さい場合にはピン層側からフリー層側にすなわちソース線SL側からビット線BL側に電流が流れるようにデータ読出電流が流れるようにセンスアンプSAを接続する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
行列状に配置された複数のメモリセルと、
メモリセル列にそれぞれ対応して設けられ、データ読出時あるいはデータ書込時に選択されたメモリセルを介して電流を供給するための複数の第1および第2の電流線とを備え、
各前記メモリセルは、
各々が、対応する第1および第2の電流線との間に設けられ、磁気的に不揮発的なデータ記憶を実行する磁気抵抗素子を含み、
前記磁気抵抗素子は、
前記対応する第1の電流線と電気的に結合され、第1の磁化方向に磁化した固定磁化層と、
前記対応する第2の電流線と電気的に結合され、前記データ書込時に前記対応する第1および第2の電流線を介して流れるデータ書込電流の流入方向に応じたスピン偏極電子に基づいて前記第1の磁化方向あるいは前記第1の磁化方向と反対の方向である第2の磁化方向のいずれか一方に磁化する自由磁化層と、
前記固定磁化層と前記自由磁化層との間に設けられ、非磁性体であるバリア層とを有し、
前記データ読出時に、前記選択されたメモリセルに対応する第1および第2の電流線に対してディスターブが生じにくい方向にデータ読出電流を供給するデータ読出回路をさらに備える、不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/15
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C11/15 150
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA15
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA07
, 5F083LA10
, 5F083LA12
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083ZA28
