特許
J-GLOBAL ID：200903000590415010

レジストパターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法

発明者：
菅田 祥樹

菅田 祥樹 について

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金子 文武

金子 文武 について

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立川 俊和

立川 俊和 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302554
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084459
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ホトレジストを用いて形成されたレジストパターンを熱収縮させて、微細レジストパターンを形成する際に、該レジストパターン上に設けられる,熱処理により、レジストパターンを円滑に熱収縮させることができると共に、水洗により容易に除去し得るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びこのものを用いたレジストパターン形成方法。【解決手段】 基板上にレジストパターンを形成する工程、このレジストパターンの全面又は一部に水溶性樹脂被膜を設ける工程、前記基板を熱処理してレジストパターン間の距離を接近させる工程及び前記水溶性樹脂被膜を水洗除去する工程からなる微細パターン形成方法において、該水溶性樹脂として、(A)アクリル酸及びメタクリル酸の中から選ばれた少なくとも1種のモノマーと、(B)(A)成分以外の水溶性ビニル化合物の中から選ばれた少なくとも1種のモノマーとの共重合体を用いて微細レジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
(A)アクリル酸及びメタクリル酸の中から選ばれた少なくとも1種のモノマーと、(B)(A)成分以外の水溶性ビニル化合物の中から選ばれた少なくとも1種のモノマーとの共重合体を含む水溶液からなるレジストパターン微細化用被覆形成剤。
IPC (7件)：
G03F 7/40 511 ,  C08F216/06 ,  C08F218/08 ,  C08F220/06 ,  C08F226/10 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (8件)：
G03F 7/40 511 ,  C08F216/06 ,  C08F218/08 ,  C08F220/06 ,  C08F226/10 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 575
Fターム (23件)：
2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  4J100AD02Q ,  4J100AG04Q ,  4J100AJ02P ,  4J100AL02Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AM19Q ,  4J100AM21Q ,  4J100AQ08Q ,  4J100AQ19Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA29Q ,  4J100BA31Q ,  4J100BC73Q ,  4J100BC79Q ,  4J100CA03 ,  4J100DA22 ,  4J100DA61 ,  4J100JA38 ,  5F046JA22 ,  5F046NA19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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