特許

J-GLOBAL ID：200903000764155101

基板処理方法および装置、半導体装置の製造装置

発明者： 青山 真太郎 ,  井下田 真信 ,  神力 博 ,  高橋 毅
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-014773
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218082
出願日： 2002年01月23日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板表面に、基板処理に先立って、原子層レベルの平坦化面を、他の半導体製造工程とともにクラスタ化が可能な条件で形成する。【解決手段】 シリコン基板表面に、窒素雰囲気中において紫外光を照射し、基板表面から炭素を除去する。炭素を除去したシリコン基板を、希ガス雰囲気中において熱処理し、シリコン基板表面のシリコン原子を移動させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面から炭素を除去する工程と、前記炭素を除去されたシリコン基板表面を平坦化する工程とよりなることを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/302 L

Fターム (33件)：

5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB02 ,  5F004BB18 ,  5F004BB27 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB01 ,  5F004FA07 ,  5F058BA01 ,  5F058BA06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF78 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 化合物半導体の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233942   出願人：吉川明彦, 小林正和, 三菱重工業株式会社
• 基板表面の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-091570   出願人：株式会社荏原製作所
• シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-279367   出願人：信越半導体株式会社
• 紫外線洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-042848   出願人：島田理化工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233942   出願人：吉川明彦, 小林正和, 三菱重工業株式会社
• 紫外線洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-042848   出願人：島田理化工業株式会社
• 基板表面の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-091570   出願人：株式会社荏原製作所
• シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-279367   出願人：信越半導体株式会社