特許
J-GLOBAL ID：200903000819601254

処理液中不純物の検出方法

発明者：
浜野 恵

浜野 恵 について

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佐伯 智則

佐伯 智則 について

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長尾 大輔

長尾 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-181963
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005261
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 シリコン基板表面にマイクロラフネスを生じる処理液中不純物の高感度検出方法を提供する。【解決手段】 薬液もしくは純水で所定時間処理することにより、シリコン基板表面にマイクロラフネスを生じさせた後、シリコン基板のマイクロラフネスの状態を全反射赤外吸光度法で測定する。さらに、得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによってシリコン基板表面のマイクロラフネス発生状態の検出や、数値化による定量評価を可能にする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理対象物を液処理するための処理液に含まれる不純物を検出する方法であって、 不純物評価を行う処理液で前記被処理対象物を所定時間液処理する工程と、所定時間液処理した後の前記被処理対象物の表面状態を評価する工程とを有し、 前記評価する工程は、前記被処理対象物の表面状態を測定することによって、前記被処理対象物の表面状態に影響を及ぼす不純物を検出することを特徴とする処理液中不純物の検出方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  G01N 21/27 ,  G01N 21/35 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
H01L21/306 J ,  G01N21/27 C ,  G01N21/35 Z ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/30 572B
Fターム (17件)：
2G059AA01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059DD01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE10 ,  2G059EE12 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059KK01 ,  2G059MM17 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043EE23 ,  5F046MA06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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