特許
J-GLOBAL ID：200903000846765609
シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-534944
公開番号（公開出願番号）：特表2001-511315
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：
【要約】増大した最大電圧を実現するシリコン・カーバイド絶縁ゲート・パワー・トランジスタを開示する。このトランジスタは、電界効果型又は絶縁ゲート型のトランジスタであって、絶縁ゲートに隣接する保護領域(23、43)を有するトランジスタから構成され、これが、ソース(14、34)とは反対の導電型を有して、ゲート絶縁体材料(17、37)が、本デバイスの両端に印加される大電圧による劣化又はブレークダウン効果から保護する。本デバイスは、オプションとして、この保護領域とは反対の導電型をもつ電流エンハンス層であって、保護領域とこのトランジスタの別の第1導電型領域との間に配置された電流エンハンス層(67,83)を備える。
請求項（抜粋）：
増大した最大電圧を実現するシリコン・カーバイドUMOSパワー・トランジスタにおいて、 該パワー・トランジスタは、シリコン・カーバイド中に形成した金属酸化物半導体のエンハンスメント型電界効果トランジスタであって、トレンチと、該トレンチの壁部及び底部上のトレンチ酸化物とを含むエンハンスメント型電界効果トランジスタを備え、 該エンハンスメント電界効果トランジスタは、 第1の導電型のソース及びドレインと、これとは逆の導電型のチャネル領域とを有し、 前記エンハンスメント電界効果トランジスタの前記トレンチ酸化物の下にある領域であって、前記ドレインに印加される大電圧による劣化又はブレークダウン効果から前記トレンチ酸化物を保護するため、前記ソース及びドレインとは逆の導電型を有する領域を備えていることを特徴とするシリコン・カーバイドUMOSパワー・トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/78 653
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 655
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 655 A
