特許
J-GLOBAL ID：200903000850349571

異方性希土類-鉄系磁石膜の製造方法および超小型モータ

発明者：
中野 正基

中野 正基 について

, 
福永 博俊

福永 博俊 について

, 
山下 文敏

山下 文敏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-098948
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286152
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】ミリサイズメートル以下の超小型モータ、アクチュエータの実用化には固定子との空隙に強力な静磁界を発生し得る膜厚50〜300μmの希土類磁石膜が必要である。ところで、パルスレーザディポジッション(PLD)で成膜した従来の磁石膜は磁気的に等方性であるため、磁界中射出成形磁石と同程度の残留磁化Jr=700 mTしか得られていない。仮に、膜厚方向に磁気異方性を付与できれば、空隙に強力な静磁界を発生し得る磁石膜が得られる。【解決手段】本発明はターゲットと基板との空間に熱源を配置し、基板を成膜側から間接加熱し、当該基板にパルスレーザディポジッション(PLD)で4f希土類-鉄系合金を成膜し、膜の面内方向最大磁化をMmax//、垂直方向の最大磁化をMmax⊥としたとき、Mmax⊥ / Mmax// > 0.90の異方性磁石膜とする。更に、当該膜でモータ可動子とする。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
ターゲットと基板との空間に熱源を配置し、基板を成膜側から間接加熱、当該基板にパルスレーザディポジッション(PLD)で4f希土類-鉄系合金(例えばR2TM14B1M0〜X、ここでRは10〜20 at. %で、Yを含む希土類元素のうち少なくとも1種,Bは5〜20 at. %,TMは遷移金属元素でFeまたはFeの一部をCoで置換したもの,Mは0〜2 at.%でNb、Mo、V、Ti、Al、Ga、Cuなどの群から選ばれる1種または2種以上の添加元素、及び不可避的な不純物を含む)を成膜し、当該膜の面内方向最大磁化をMmax//、垂直方向の最大磁化をMmax⊥としたとき、Mmax⊥ / Mmax// > 0.90とした異方性希土類-鉄系磁石膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01F10/14 ,  C22C38/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01F1/053 ,  H01F41/20
FI (6件)：
H01F10/14 ,  C22C38/00 303D ,  C23C14/16 D ,  C23C14/34 P ,  H01F41/20 ,  H01F1/04 H
Fターム (21件)：
4K029AA02 ,  4K029BA26 ,  4K029BC06 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029EA02 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5E040AA04 ,  5E040CA01 ,  5E040HB11 ,  5E040NN01 ,  5E040NN12 ,  5E040NN15 ,  5E040NN18 ,  5E049AA01 ,  5E049AC03 ,  5E049BA01 ,  5E049FC10 ,  5E049HC01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM