永久磁石薄膜

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥田誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198503
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017320
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】【解決手段】基板1に支持された永久磁石薄膜であって、基板1に接して配置され、Ti、Ta、Nb、Zr、Cr、V、W、およびMoからなる群から選択された少なくともひとつの材料から形成された高融点金属層2と、高融点金属層2上に配置され、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(Rは希土類元素)である希土類合金磁性層3とを備えている。基板1は単結晶シリコンから形成されている。高融点金属層2の厚さは、希土類合金磁性層3の厚さの1/200以上1/5以下に調節されている。基板1上に形成された各層の内部応力の平均は、2×108Pa以下である。

請求項（抜粋）：

基板に支持された永久磁石薄膜であって、前記基板に接して配置され、Ti、Ta、Nb、Zr、Cr、V、W、およびMoからなる群から選択された少なくともひとつの材料から形成された高融点金属層と、前記高融点金属層上に配置され、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(Rは希土類元素)である希土類合金磁性層と、を備え、前記基板は単結晶シリコンから形成され、前記高融点金属層の厚さは、前記希土類合金磁性層の厚さの1/200以上1/5以下であり、前記基板上に形成された各層の内部応力の絶対値の平均は、2×108Pa以下である永久磁石薄膜。

IPC (7件)：

H01F 10/14 , G11B 5/64 , G11B 5/72 , G11B 5/73 , G11B 5/738 , H01F 10/28 , H01F 10/30

FI (7件)：

H01F 10/14 , G11B 5/64 , G11B 5/72 , G11B 5/73 , G11B 5/738 , H01F 10/28 , H01F 10/30

Fターム (7件)：

5D006BB01 , 5D006BB07 , 5D006CB00 , 5E049AA01 , 5E049BA01 , 5E049DB04 , 5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (13件)

薄膜磁石およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029101 出願人：ティーディーケイ株式会社
R-TM-B系硬磁性薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-099957 出願人：日立金属株式会社
希土類薄膜磁石の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196976 出願人：株式会社安川電機

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