転写露光方法、転写露光装置及びデバイス製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡部温 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125563
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319533
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】レチクルの歪を短時間・高精度・安価に補正することのできる転写露光方法等を提供する。【解決手段】レチクル10上に複数のアライメントマーク51及び計測用マーク53を形成しておき、露光装置とは異なる検査装置81を用いて前記複数の計測用マーク53の内の全部又は大半の位置を検出してレチクル変形データ1を得、記憶部83に記憶する。また、レチクル10を露光装置に搭載した後に、複数のアライメントマーク51の内の一部の位置を検出してレチクル変形データ2を得、記憶部82に記憶する。両レチクル変形データを用いて、各サブフィールドの位置及び/又は変形を補正しながら露光する。

請求項（抜粋）：

感応基板上に転写すべきデバイスパターンを小領域(サブフィールド)に分割してレチクル上に形成し、該レチクルを、前記サブフィールド毎にエネルギ線で照明し、該サブフィールドを通過又は反射したエネルギ線を前記感応基板上のしかるべき位置に投影結像させ、該感応基板上では、各サブフィールドのパターンの像を繋ぎ合わせることにより前記デバイスパターン全体を転写する露光方法であって、前記レチクル上に複数の位置検出用マークを形成しておき、露光装置とは異なる検査装置を用いて前記複数のマークの内の全部又は大半の位置を検出してレチクル変形データ1を得、前記レチクルを前記露光装置に搭載した後に、前記複数のマークの内の一部の位置を検出してレチクル変形データ2を得、両レチクル変形データを用いて、各サブフィールドの位置及び/又は変形を補正しながら露光することを特徴とする転写露光方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G01B 21/00 , G03F 1/16 , G03F 7/20 521 , G01B 15/00

FI (6件)：

G01B 21/00 A , G03F 1/16 F , G03F 7/20 521 , G01B 15/00 B , H01L 21/30 541 M , H01L 21/30 516 A

Fターム (48件)：

2F067AA03 , 2F067AA15 , 2F067BB01 , 2F067BB04 , 2F067CC16 , 2F067EE10 , 2F067FF11 , 2F067FF12 , 2F067FF18 , 2F067GG07 , 2F067HH06 , 2F067JJ05 , 2F067KK08 , 2F067PP12 , 2F067QQ02 , 2F069AA03 , 2F069AA17 , 2F069BB15 , 2F069CC06 , 2F069DD12 , 2F069GG04 , 2F069GG07 , 2F069GG08 , 2F069GG12 , 2F069GG45 , 2F069GG72 , 2F069GG74 , 2F069HH30 , 2F069MM02 , 2F069MM24 , 2F069NN17 , 2F069NN18 , 2H095BA05 , 2H095BA08 , 2H095BD03 , 2H095BD12 , 2H095BD15 , 2H095BD24 , 2H095BD29 , 2H095BE06 , 5F046AA18 , 5F046DB04 , 5F056AA06 , 5F056CA02 , 5F056CC01 , 5F056CC07 , 5F056CD02 , 5F056FA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

荷電粒子線投影露光方法、荷電粒子線投影露光装置及びそれに用いるレチクル
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-306397 出願人：株式会社ニコン
位置合わせ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153145 出願人：株式会社ニコン
露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-224709 出願人：株式会社ニコン

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