特許
J-GLOBAL ID:200903000947467846

透光性封止材料、この透光性封止材料で封止してなる光モジュールおよびその光モジュールの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安藤 淳二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-371881
公開番号(公開出願番号):特開2004-203943
出願日: 2002年12月24日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】金属バンプを介して、受発光部とを有する半導体部品と光・電気複合回路を有する回路基板とを接続してなる光モジュールにおいて、金属バンプの補強と光結合部での透過損失低減とを両立できる透光性封止材料、この透光性封止材料で封止してなる光モジュール、その光モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の透光性封止材料が、半導体部品4(4a、4b)と、回路基板7とを具備し、受発光部3と、結合器12とを対向させ、かつ、電極2と、電極5とを金属バンプ8で接続する光モジュール1(1a、1b)の隙間9を封止する透光性封止材料10であって、これが、所定のアルキルポリエーテルアミン類等を含有するエポキシ樹脂組成物であるので、高い透光性を確保しつつ、金属バンプ補強時のフィレット形成性が、向上する結果、温度サイクル性を向上し得ることとなる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1の電極および受発光部を有する半導体部品と、第2の電極、光導波路および該光導波路に設けられた結合器を有する回路基板とを具備していて、前記受発光部と、前記結合器とを対向させ、かつ、前記第1の電極と、前記第2の電極とを金属バンプで接続する光モジュールの、前記半導体部品と前記回路基板との間に形成された隙間を封止する透光性封止材料であって、該透光性封止材料が、エポキシ樹脂と、硬化触媒と、下記の式(A)で示される化合物又は下記の式(B)で示される化合物の少なくとも一方を含有し、かつ、前記下記の式(A)で示される化合物又は下記の式(B)で示される化合物の少なくとも一方を、前記該透光性封止材料全質量に対して0.01質量%〜1質量%含有することを特徴とする透光性封止材料。
IPC (5件):
C08G59/40 ,  C08L63/00 ,  C08L71/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (4件):
C08G59/40 ,  C08L63/00 Z ,  C08L71/02 ,  H01L23/30 R
Fターム (37件):
4J002CD02W ,  4J002CD041 ,  4J002CD05W ,  4J002CH02X ,  4J002CH03Y ,  4J002EC057 ,  4J002ED036 ,  4J002EF067 ,  4J002EF087 ,  4J002EH047 ,  4J002EN106 ,  4J002EN117 ,  4J002EN126 ,  4J002FD15X ,  4J002FD156 ,  4J002GJ02 ,  4J036AD07 ,  4J036AD08 ,  4J036AF05 ,  4J036AJ08 ,  4J036DB02 ,  4J036DB10 ,  4J036DB16 ,  4J036DB18 ,  4J036DC12 ,  4J036DC14 ,  4J036DC15 ,  4J036FA10 ,  4J036FB12 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109EA02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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