特許
J-GLOBAL ID：200903000960652296

記憶素子及びメモリ

発明者：
鹿野 博司

鹿野 博司 について

, 
細見 政功

細見 政功 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291759
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108316
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層32の上下に、中間層14,18を介して磁化固定層31,33が設けられ、これら磁化固定層31,33のそれぞれ記憶層32に最も近い強磁性層13,19の磁化M13,M19の向きが略平行であり、記憶層32が非磁性導体層16を介して積層された複数層の強磁性層15,17から成り、記憶層32の最上層の強磁性層17の磁化M17と最下層の強磁性層15の磁化M15とが、互いに向きが反平行であり、積層方向に電流を流すことにより、記憶層32の磁化M15,M17の向きが変化して、記憶層32に対して情報の記録が行われる記憶素子3を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記記憶層の上下の前記磁化固定層において、それぞれ前記記憶層に最も近い前記強磁性層の磁化の向きが略平行であり、 前記記憶層が、非磁性導体層を介して積層された複数層の強磁性層から成り、 前記記憶層の最も上層の強磁性層と最も下層の強磁性層とが、磁化の向きが互いに反平行であり、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z
Fターム (4件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA37
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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