特許

J-GLOBAL ID：200903000979978079

キャパシタ及び半導体装置の製造方法

発明者： 森 義弘 ,  奥野 泰利 ,  皷谷 昭彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265284
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076293
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 Pt等の貴金属により構成されていても、酸素雰囲気で熱処理しても凝集しない電極を有するキャパシタや半導体装置を提供する。【解決手段】 Ptなどからなる下部電極11を形成した後、下部電極11内に、高温における剛性の低下を抑制する機能を有する不純物例えば水素20を添加する。その後、下部電極11の上に、BST膜などからなる容量絶縁膜12を形成する際に、酸化性雰囲気下で高温にさらされても、下部電極11の剛性の低下が抑制され、下部電極11を構成するPtなどの金属の凝集による変形が阻止される。

請求項（抜粋）：

金属からなる第1の電極と、導体材料からなる第2の電極と、上記第1,第2の電極間に介在する容量絶縁膜とを備え、上記第1の電極は、高温における当該電極の剛性の低下を抑制する機能を有する不純物を含んでいることを特徴とするキャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (23件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD24 ,  5F083AD42 ,  5F083GA19 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR18 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (5件)

• キャパシタを有する半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076823   出願人：三菱電機株式会社
• 強誘電体キャパシタ、配線、半導体装置及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-054140   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体記憶素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-274329   出願人：シャープ株式会社
• 強誘電体メモリおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-101035   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-317498   出願人：日本電気株式会社