窒化物半導体層付き基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：須田正義 , 須田正義 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140321
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265853
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】発光強度の高い発光素子を作り出す。完全に単結晶化した、結晶欠陥が極めて少ない、高品質で平坦な窒化物半導体層を比較的簡便に形成する。【解決手段】単結晶シリコン基板11上に単結晶を含む結晶性窒化シリコン、アモルファス窒化シリコン、又はアモルファスと結晶の窒化シリコンが混在した窒化シリコンからなるヘテロエピタキシャル層12を0.05〜2000nmの厚さで形成する。この窒化シリコン層上に窒化ガリウム層のような窒化物半導体層13を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板(11)上にバッファ層として窒化シリコン層(12)が形成され、前記窒化シリコン層(12)上に窒化物半導体層(13)が形成された窒化物半導体層付き基板(10)において、前記窒化シリコン層(12)が前記基板(11)の表面全体に0.05〜2000nmの厚さで均一に形成されたヘテロエピタキシャル層であることを特徴とする窒化物半導体層付き基板。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01L 21/203 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 B , H01L 21/203 M , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体発光素子およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-202480 出願人：ローム株式会社
窒化硅素単結晶膜および製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-036076 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭63-127528

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審査官引用 (2件)

半導体発光素子およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-202480 出願人：ローム株式会社
窒化硅素単結晶膜および製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-036076 出願人：住友電気工業株式会社

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