特許
J-GLOBAL ID：200903096128126654
III 族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214070
公開番号（公開出願番号）：特開平11-046045
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 Si(111)基板上の平坦で結晶性の良いIII 族窒化物薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上に分子線エピタキシャルによりAlx Gay In1-x-y N (0≦x,y ≦1 かつ 0≦x+y ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜を成膜するIII 族窒化物半導体薄膜の製造方法において、シリコン基板に基板シリコンの窒化を防止する窒化防止層を形成した後、III 族窒化物半導体薄膜を成膜する。または、シリコン基板とIII 族窒化物半導体薄膜の間にはIII/V 流束比(基板に供給されるIII 族元素の流束の基板に供給される活性窒素の流束に対する比)が0.25ないし2.0 以下で形成されたAlN またはGaN からなるバッファー層を介在させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に分子線エピタキシャルによりAlx Gay In1-x-y N (0≦x,y ≦1 かつ 0≦x+y ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜を成膜するIII 族窒化物半導体薄膜の製造方法において、前記シリコン基板に基板シリコンの窒化を防止する窒化防止層を形成した後、前記III 族窒化物半導体薄膜を成膜することを特徴とするIII 族窒化物半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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