特許
J-GLOBAL ID：200903001080837510
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200121
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025883
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ上の代表的なチップを精度良く求めると共に、チップの現像終点を精度良く求めることができ、寸法精度及び歩留まりの向上をはかる。【解決手段】 ウェハ20上のレジストにデバイスパターンを露光した後、現像によりレジストにデバイスパターンを形成するパターン形成方法において、デバイスパターンの露光時に、各々のチップ毎にデバイス領域21と共にモニタ領域23を露光し、デバイスパターンの露光の後で現像の前に、ウェハ20内で露光時のフォーカス条件が設定値に近く、且つ露光量が平均的な値となっているチップ?Cを抽出し、レジストの現像時に、抽出したチップ?C内に配置されたモニタ領域23に光を照射し、モニタ領域23の反射光強度変化に基づいてデバイスパターンが所望寸法に仕上がる現像停止時間を予測し、予測された現像停止時間にウェハ20上に現像停止液を供給して現像を停止させる。
請求項（抜粋）：
被処理基板上のレジストにデバイスパターンを露光した後、現像によりレジストにデバイスパターンを形成するパターン形成方法において、前記デバイスパターンの露光時に、各々のチップ毎にデバイス領域と共にモニタ領域を露光する工程と、前記デバイスパターンの露光の後で現像の前に、前記基板内で露光時のフォーカス条件が設定値以内で、且つ露光量が平均的な値となっているチップを抽出する工程と、前記レジストの現像時に、前記抽出したチップ内に配置された前記モニタ領域に光を照射し、該モニタ領域の反射光強度変化に基づいてデバイスパターンが所望寸法に仕上がる現像停止時間を予測する工程と、前記予測された現像停止時間に前記基板上に現像停止液を供給し、現像を停止させる工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 7/26 501
, G03F 7/30 501
G03F 7/20 521
, G03F 7/26 501
, G03F 7/30 501
, H01L 21/30 569 G
2H096AA25
, 2H096GA21
, 2H096GA60
, 2H096LA30
, 5F046LA01
, 5F046LA15
