特許
J-GLOBAL ID：200903001102427957

III族窒化物p型半導体の製造方法およびIII族窒化物半導体発光素子

発明者：
小早川 真人

小早川 真人 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-319164
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159341
出願日： 2004年11月02日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 十分なキャリア濃度を有し、かつ、結晶ダメージの少ない表面を有するIII族窒化物p型半導体の効率的な製造方法を提供すること。【解決手段】 H2ガスおよび/またはNH3ガス含有雰囲気中でp型ドーパント含有III族窒化物半導体を1000°C以上で成長させた後、降温しつつ、且つ800°Cより高い温度でH2ガスおよびNH3ガスを不活性ガスに置換することを特徴とするIII族窒化物p型半導体の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
H2ガスおよび/またはNH3ガスを用いるIII族窒化物p型半導体の製造方法において、H2ガスおよび/またはNH3ガス含有雰囲気中でp型ドーパント含有III族窒化物半導体を1000°C以上で成長させた後、降温しつつ、且つ800°C以下とならない温度でH2ガスおよびNH3ガスを不活性ガスに置換することを特徴とするIII族窒化物p型半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (35件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045EK03 ,  5F045EK27 ,  5F045HA16 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ20
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)

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